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赛微电子拟投资10亿元建设6-8英寸硅基氮化镓功率器件

4月3日消息,近日北京赛微电子股份有限公司发布公告显示,赛微电子拟在青州经济开发区发起投资10亿元分期建设聚能国际6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目,总占地面积30亩,一期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆5,000片/月的生产能力,二期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆12,000片/月的生产能力,将为全球GaN产品客户的旺盛需求提供成熟的技术支持和产能保障。(TechWeb)

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